0 0 0
  8. DMN1019UVT-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN1019UVT-7

 
DMN1019UVT-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659888
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 10,1А; Idm: 70А; 1,11Вт; TSOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.66 грн
25+
10.96 грн
100+
9.72 грн
110+
9.27 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT26(1605071)
Напряжение сток-исток
12В(1441274)
Ток стока
10,1А(1602419)
Сопротивление в открытом состоянии
41мОм(1479050)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,11Вт(1702578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
50,4нC(1942220)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
70А(1759384)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN1019UVT-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659888
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 12В; 10,1А; Idm: 70А; 1,11Вт; TSOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.66 грн
25+
10.96 грн
100+
9.72 грн
110+
9.27 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT26
Напряжение сток-исток
12В
Ток стока
10,1А
Сопротивление в открытом состоянии
41мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,11Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
50,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
70А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g