0 0 0
  8. DMN3013LDG-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN3013LDG-7

 
DMN3013LDG-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660149
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,6А; Idm: 80А; 1,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.59 грн
5+
37.53 грн
25+
33.57 грн
36+
28.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerDI3333-8(1942490)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
7,6А(1479167)
Сопротивление в открытом состоянии
17,7мОм(1942249)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
5,7нC(1479169)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3013LDG-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660149
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7,6А; Idm: 80А; 1,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.59 грн
5+
37.53 грн
25+
33.57 грн
36+
28.38 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
PowerDI3333-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
7,6А
Сопротивление в открытом состоянии
17,7мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
5,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g