0 0 0
  8. DMN3200U-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN3200U-7

 
DMN3200U-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562613
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,2А; Idm: 9А; 650мВт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.34 грн
25+
12.11 грн
100+
10.67 грн
110+
9.25 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3540 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23-3(1443554)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
2,2А(1501033)
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,65Вт(1742050)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
9А(1790201)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN3200U-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562613
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,2А; Idm: 9А; 650мВт; SOT23-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.34 грн
25+
12.11 грн
100+
10.67 грн
110+
9.25 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 3540 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23-3
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
2,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,65Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
9А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g