0 0 0
  8. DMP2039UFDE-7

Транзисторы с каналом P SMD DMP2039UFDE-7

 
DMP2039UFDE-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140593
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -25В; -5,4А; 0,8Вт; U-DFN2020-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.23 грн
25+
12.07 грн
100+
10.67 грн
104+
9.42 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2020-6(1628271)
Напряжение сток-исток
-25В(1492223)
Ток стока
-5,4А(1492236)
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм(1441515)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,8Вт(1507583)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP2039UFDE-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140593
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -25В; -5,4А; 0,8Вт; U-DFN2020-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.23 грн
25+
12.07 грн
100+
10.67 грн
104+
9.42 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2020-6
Напряжение сток-исток
-25В
Ток стока
-5,4А
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g