0 0 0
  8. DMP2100UQ-7

Транзисторы с каналом P SMD DMP2100UQ-7

 
DMP2100UQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140598
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,4А; 0,8Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.30 грн
25+
7.63 грн
100+
6.77 грн
167+
5.92 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 3035 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3,4А(1479073)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,8Вт(1507583)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP2100UQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140598
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,4А; 0,8Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.30 грн
25+
7.63 грн
100+
6.77 грн
167+
5.92 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  1
Колличество: 3035 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3,4А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,018 g