0 0 0
  8. DMP32D4SFB-7B

Транзисторы с каналом P SMD DMP32D4SFB-7B

 
DMP32D4SFB-7B
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140623
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,4А; 0,5Вт; X1-DFN1006-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.13 грн
25+
4.82 грн
100+
4.25 грн
265+
3.73 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1006-3(1705809)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-400мА(1479093)
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом(1441594)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP32D4SFB-7B
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140623
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,4А; 0,5Вт; X1-DFN1006-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.13 грн
25+
4.82 грн
100+
4.25 грн
265+
3.73 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1006-3
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-400мА
Сопротивление в открытом состоянии
2,4Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g