0 0 0
  8. DMT10H010LPS-13

Транзисторы с каналом N SMD DMT10H010LPS-13

 
DMT10H010LPS-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075984
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 98А; 1,2Вт; PowerDI®5060-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.34 грн
5+
77.36 грн
17+
59.02 грн
47+
55.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerDI®5060-8(1740068)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
98А(1479489)
Сопротивление в открытом состоянии
8,3мОм(1599593)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,2Вт(1449368)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,3 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMT10H010LPS-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075984
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 98А; 1,2Вт; PowerDI®5060-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.34 грн
5+
77.36 грн
17+
59.02 грн
47+
55.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
PowerDI®5060-8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
98А
Сопротивление в открытом состоянии
8,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,3 g