Универсальные диоды THT 1N4150

 
1N4150
 
Артикул: 041235
Диод: импульсный; THT; 50В; 0,3А; Ammo Pack; Ifsm: 4А; DO35; 500мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.22 грн
100+
0.94 грн
1000+
0.76 грн
1475+
0.66 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 3125 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
DO35(1440246)
Обратное напряжение макс.
50В(1439515)
Прямой ток макс.
0,6А(1701297)
Падение напряжения макс.
1,2В(1439897)
Прямой ток
0,3А(1633842)
Конструкция диода
одиночный диод(1612600)
Время готовности
4нс(1440245)
Импульсный ток
(1440710)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Вид упаковки
Ammo Pack(1601733)
Тип диода
импульсный(1440247)
Характеристики полупроводниковых элементов
сверхбыстрый диод(1697000)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,11 g
 
Универсальные диоды THT 1N4150
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 041235
Диод: импульсный; THT; 50В; 0,3А; Ammo Pack; Ifsm: 4А; DO35; 500мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.22 грн
100+
0.94 грн
1000+
0.76 грн
1475+
0.66 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Колличество: 3125 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
DO35
Обратное напряжение макс.
50В
Прямой ток макс.
0,6А
Падение напряжения макс.
1,2В
Прямой ток
0,3А
Конструкция диода
одиночный диод
Время готовности
4нс
Импульсный ток
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Вид упаковки
Ammo Pack
Тип диода
импульсный
Характеристики полупроводниковых элементов
сверхбыстрый диод
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,11 g