0 0 0
  7. DI7A6N04SQ2

Транзисторы многоканальные DI7A6N04SQ2

 
DI7A6N04SQ2
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877712
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,6А; Idm: 50А; 3,1Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.69 грн
5+
26.98 грн
25+
21.55 грн
61+
15.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
7,6А(1479167)
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм(1441272)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
3,1Вт(1449545)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g
 
Транзисторы многоканальные DI7A6N04SQ2
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877712
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 40В; 7,6А; Idm: 50А; 3,1Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.69 грн
5+
26.98 грн
25+
21.55 грн
61+
15.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
7,6А
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
3,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
18нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g