0 0 0
  7. TGL200CU10

Диоды остальные TGL200CU10

 
TGL200CU10
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 412179
Диод: TVS+FRD; 1кВ; 300Вт; DO213AA; 75нс; Ifsm: 1А; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.60 грн
25+
7.95 грн
100+
6.91 грн
160+
6.36 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DO213AA(1497074)
Погрешность
±10%(1819340)
Обратное напряжение макс.
1кВ(1439553)
Время готовности
75нс(1440086)
Импульсный ток
1А(1440649)
Напряжение пробоя
200В(1440642)
Ток утечки
5мкА(1501362)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
TVS+FRD(1810220)
Характеристики полупроводниковых элементов
сверхбыстрый диод(1497038) snubber diode(1810219)
Peak pulse power dissipation
0,3кВт(1912999)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,12 g
 
Диоды остальные TGL200CU10
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 412179
Диод: TVS+FRD; 1кВ; 300Вт; DO213AA; 75нс; Ifsm: 1А; бобина,лента
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.60 грн
25+
7.95 грн
100+
6.91 грн
160+
6.36 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DO213AA
Погрешность
±10%
Обратное напряжение макс.
1кВ
Время готовности
75нс
Импульсный ток
1А
Напряжение пробоя
200В
Ток утечки
5мкА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
TVS+FRD
Характеристики полупроводниковых элементов
сверхбыстрый диод
Характеристики полупроводниковых элементов
snubber diode
Peak pulse power dissipation
0,3кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,12 g