Транзисторы IGBT THT IKP30N65F5XKSA1

 
IKP30N65F5XKSA1
 
Артикул: 220826
Транзистор: IGBT; 650В; 35А; 93Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
397.89 грн
3+
358.10 грн
4+
274.62 грн
10+
259.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
35А(1500592)
Ток коллектора в импульсе
90А(1705293)
Время включения
22нс(1519208)
Время выключения
189нс(1707687)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
93Вт(1740774)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
70нC(1479303)
Технология
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы IGBT THT IKP30N65F5XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220826
Транзистор: IGBT; 650В; 35А; 93Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
397.89 грн
3+
358.10 грн
4+
274.62 грн
10+
259.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
35А
Ток коллектора в импульсе
90А
Время включения
22нс
Время выключения
189нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
93Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
70нC
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g