0 0 0
  8. IPA80R360P7XKSA1

Транзисторы с каналом N THT IPA80R360P7XKSA1

 
IPA80R360P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401950
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; Idm: 34А; 30Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
165.74 грн
9+
109.17 грн
25+
103.59 грн
100+
101.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 97 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
8,6А(1441570)
Сопротивление в открытом состоянии
0,36Ом(1638677)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
34А(1759386)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,165 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPA80R360P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401950
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8,6А; Idm: 34А; 30Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
165.74 грн
9+
109.17 грн
25+
103.59 грн
100+
101.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 97 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
8,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,36Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
34А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,165 g