0 0 0
  8. IPA80R900P7XKSA1

Транзисторы с каналом N THT IPA80R900P7XKSA1

 
IPA80R900P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078279
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 27Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
112.82 грн
10+
98.52 грн
15+
69.92 грн
39+
66.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 89 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
4,6А(1479139)
Сопротивление в открытом состоянии
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
27Вт(1626689)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
17нC(1479101)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,163 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPA80R900P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078279
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4,6А; 27Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
112.82 грн
10+
98.52 грн
15+
69.92 грн
39+
66.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 89 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
4,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
27Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
17нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,163 g