0 0 0
  8. IPB039N10N3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPB039N10N3GATMA1

 
IPB039N10N3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168981
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
214.88 грн
5+
191.88 грн
7+
147.48 грн
19+
138.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-7(1599141)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
160А(1479541)
Сопротивление в открытом состоянии
3,9мОм(1479558)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
214Вт(1741760)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,755 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB039N10N3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168981
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 160А; 214Вт; PG-TO263-7
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
214.88 грн
5+
191.88 грн
7+
147.48 грн
19+
138.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-7
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
160А
Сопротивление в открытом состоянии
3,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
214Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,755 g