0 0 0
  8. IPB120N06S402ATMA2

Транзисторы с каналом N SMD IPB120N06S402ATMA2

 
IPB120N06S402ATMA2
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076211
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
157.97 грн
5+
142.09 грн
10+
110.34 грн
26+
104.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO263-3(1599142)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
120А(1441550)
Сопротивление в открытом состоянии
2,4мОм(1479456)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
188Вт(1740799)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
150нC(1479389)
Технология
OptiMOS™ T2(1714105)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPB120N06S402ATMA2
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076211
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 60В; 120А; 188Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
157.97 грн
5+
142.09 грн
10+
110.34 грн
26+
104.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
120А
Сопротивление в открытом состоянии
2,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
188Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
150нC
Технология
OptiMOS™ T2
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g