0 0 0
  8. IPD031N06L3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPD031N06L3GATMA1

 
IPD031N06L3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076286
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
153.13 грн
5+
137.98 грн
9+
112.45 грн
25+
106.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1437 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TO252-3(1599147)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
3,1мОм(1479542)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
167Вт(1740791)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,42 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPD031N06L3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076286
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
153.13 грн
5+
137.98 грн
9+
112.45 грн
25+
106.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1437 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
3,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
167Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,42 g