0 0 0
  7. IPG20N04S409ATMA1

Транзисторы многоканальные IPG20N04S409ATMA1

 
IPG20N04S409ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000275
Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.67 грн
5+
53.62 грн
24+
41.07 грн
65+
38.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TDSON-8(1599109)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
8,6мОм(1599594)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
54Вт(1608403)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
21,7нC(1714110)
Технология
OptiMOS™ T2(1714105)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы многоканальные IPG20N04S409ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000275
Транзистор: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 20А; 54Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
59.67 грн
5+
53.62 грн
24+
41.07 грн
65+
38.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TDSON-8
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
8,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
54Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
21,7нC
Технология
OptiMOS™ T2
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g