0 0 0
  8. IPI086N10N3GXKSA1

Транзисторы с каналом N THT IPI086N10N3GXKSA1

 
IPI086N10N3GXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078310
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
86.88 грн
3+
77.57 грн
10+
72.14 грн
38+
68.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO262-3(1599743)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
8,6мОм(1599594)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,53 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPI086N10N3GXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078310
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 125Вт; PG-TO262-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
86.88 грн
3+
77.57 грн
10+
72.14 грн
38+
68.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO262-3
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
8,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,53 g