Транзисторы с каналом N THT IPI65R110CFDXKSA1

 
IPI65R110CFDXKSA1
 
Артикул: 078337
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO262-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
453.67 грн
3+
390.11 грн
4+
273.32 грн
10+
258.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO262-3(1599743)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
31,2А(1602396)
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом(1459327)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
277,8Вт(1741940)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
CoolMOS™(1601653)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPI65R110CFDXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078337
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 31,2А; 277,8Вт; PG-TO262-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
453.67 грн
3+
390.11 грн
4+
273.32 грн
10+
258.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO262-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
31,2А
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
277,8Вт
Полярность
полевой
Технология
CoolMOS™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g