0 0 0
  8. IPL60R285P7AUMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPL60R285P7AUMA1

 
IPL60R285P7AUMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076401
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 59Вт; PG-VSON-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
143.81 грн
5+
129.51 грн
10+
100.11 грн
28+
94.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-VSON-4(1602414)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
0,285Ом(1638681)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
59Вт(1520841)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPL60R285P7AUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076401
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 8А; 59Вт; PG-VSON-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
143.81 грн
5+
129.51 грн
10+
100.11 грн
28+
94.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-VSON-4
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,285Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
59Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
18нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g