0 0 0
  8. IPN80R4K5P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPN80R4K5P7ATMA1

 
IPN80R4K5P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076440
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
99.98 грн
5+
45.71 грн
20+
40.94 грн
29+
35.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2260 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-SOT223(1600703)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
1А(1441586)
Сопротивление в открытом состоянии
4,5Ом(1492423)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
6Вт(1520961)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
4нC(1632973)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,147 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPN80R4K5P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076440
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1А; 6Вт; PG-SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
99.98 грн
5+
45.71 грн
20+
40.94 грн
29+
35.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2260 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-SOT223
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
1А
Сопротивление в открытом состоянии
4,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
6Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
4нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,147 g