0 0 0
  8. IPN80R600P7ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPN80R600P7ATMA1

 
IPN80R600P7ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169027
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
141.43 грн
5+
123.15 грн
11+
96.14 грн
29+
90.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-SOT223(1600703)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
5,5А(1492307)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
7,4Вт(1520963)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPN80R600P7ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1169027
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 7,4Вт; PG-SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
141.43 грн
5+
123.15 грн
11+
96.14 грн
29+
90.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-SOT223
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
5,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
7,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
20нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g