0 0 0
  8. IPP80R600P7XKSA1

Транзисторы с каналом N THT IPP80R600P7XKSA1

 
IPP80R600P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078501
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 60Вт; PG-TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.85 грн
3+
85.52 грн
10+
75.41 грн
15+
66.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PG-TO220-3(1599688)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
5,5А(1492307)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
60Вт(1701959)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPP80R600P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078501
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 5,5А; 60Вт; PG-TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.85 грн
3+
85.52 грн
10+
75.41 грн
15+
66.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
5,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
60Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
20нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g