0 0 0
  8. IPT020N10N3ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IPT020N10N3ATMA1

 
IPT020N10N3ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076451
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
789.10 грн
2+
543.43 грн
5+
542.65 грн
6+
513.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HSOF-8(1599745)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
212А(1614285)
Сопротивление в открытом состоянии
2мОм(1479588)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
лента(1437179)
Заряд затвора
156нC(1479373)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,2кА(1714539)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IPT020N10N3ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076451
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 212А; Idm: 1200А; 375Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
789.10 грн
2+
543.43 грн
5+
542.65 грн
6+
513.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HSOF-8
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
212А
Сопротивление в открытом состоянии
2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
156нC
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,2кА
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g