0 0 0
  8. IPU80R3K3P7AKMA1

Транзисторы с каналом N THT IPU80R3K3P7AKMA1

 
IPU80R3K3P7AKMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078532
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; IPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.84 грн
5+
55.57 грн
24+
42.55 грн
66+
40.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
1,3А(1492332)
Сопротивление в открытом состоянии
3,3Ом(1604780)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
18Вт(1449533)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
6нC(1479087)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,41 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPU80R3K3P7AKMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078532
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,3А; 18Вт; IPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.84 грн
5+
55.57 грн
24+
42.55 грн
66+
40.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
1,3А
Сопротивление в открытом состоянии
3,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
18Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
6нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,41 g