0 0 0
  7. IR2301SPBF

Драйверы MOSFET/IGBT IR2301SPBF

 
IR2301SPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 102609
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
143.81 грн
5+
129.51 грн
10+
102.49 грн
25+
101.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO8(1441256)
Мощность
625мВт(1440828)
Напряжение питания
5...20В DC(1499605)
Время включения
220нс(1640042)
Время выключения
200нс(1441703)
Выходной ток
-350...200мА(1711090)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Кол-во каналов
2(1443907)
Характеристики интегральных схем
генератор подкачки заряда(1600599) integrated bootstrap functionality(1619534)
Вид упаковки
туба(1443467)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора(1617856)
Топология
полумост MOSFET(1612559)
Класс напряжения
600В(1711085)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,08 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT IR2301SPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 102609
IC: driver; полумост MOSFET; high-/low-side,контроллер затвора
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
143.81 грн
5+
129.51 грн
10+
102.49 грн
25+
101.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO8
Мощность
625мВт
Напряжение питания
5...20В DC
Время включения
220нс
Время выключения
200нс
Выходной ток
-350...200мА
Тип микросхемы
driver
Кол-во каналов
2
Характеристики интегральных схем
генератор подкачки заряда
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Вид упаковки
туба
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Топология
полумост MOSFET
Класс напряжения
600В
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,08 g