Транзисторы многоканальные IRF7506TRPBF

 
IRF7506TRPBF
 
Артикул: 000376
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -1,7А; 1,25Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4000+
16.43 грн
Мин. заказ: 4000
Кратность:  4000
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-1,7А(1492257)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 430 mg
 
Транзисторы многоканальные IRF7506TRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000376
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -1,7А; 1,25Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
4000+
16.43 грн
Мин. заказ: 4000
Кратность:  4000
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-1,7А
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 430 mg