0 0 0
  8. IRLB3813PBF

Транзисторы с каналом N THT IRLB3813PBF

 
IRLB3813PBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078999
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 260А; 230Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
127.01 грн
3+
114.31 грн
10+
101.61 грн
12+
88.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 29 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
260А(1479589)
Сопротивление в открытом состоянии
1,95мОм(1479584)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
230Вт(1701908)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
57нC(1479286)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,947 g
 
Транзисторы с каналом N THT IRLB3813PBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 078999
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 260А; 230Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
127.01 грн
3+
114.31 грн
10+
101.61 грн
12+
88.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 29 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
260А
Сопротивление в открытом состоянии
1,95мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
230Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
57нC
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,947 g