0 0 0
  8. IRLR2905ZTRPBF

Транзисторы с каналом N SMD IRLR2905ZTRPBF

 
IRLR2905ZTRPBF
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076934
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 43А; Idm: 240А; 110Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.92 грн
5+
51.94 грн
25+
46.51 грн
26+
38.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
43А(1479345)
Сопротивление в открытом состоянии
13,5мОм(1479016)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
35нC(1479287)
Технология
HEXFET®(1667409)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
240А(1741658)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,341 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IRLR2905ZTRPBF
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076934
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 43А; Idm: 240А; 110Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.92 грн
5+
51.94 грн
25+
46.51 грн
26+
38.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
43А
Сопротивление в открытом состоянии
13,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
35нC
Технология
HEXFET®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
240А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,341 g