0 0 0
  8. IXBF20N300

Транзисторы IGBT THT IXBF20N300

 
IXBF20N300
 
IXYS
Артикул: 370975
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 34А; 150Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 025.72 грн
10+
3 949.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 11 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
ISOPLUS i4-pac™ x024c(1813560)
Напряжение коллектор-эмиттер
3кВ(1742767)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
34А(1478917)
Ток коллектора в импульсе
130А(1764498)
Время включения
64нс(1441705)
Время выключения
0,3мкс(1444699)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
105нC(1633312)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,64 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBF20N300
IXYS
Артикул: 370975
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 34А; 150Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 025.72 грн
10+
3 949.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 11 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
ISOPLUS i4-pac™ x024c
Напряжение коллектор-эмиттер
3кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
34А
Ток коллектора в импульсе
130А
Время включения
64нс
Время выключения
0,3мкс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
150Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
105нC
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,64 g