0 0 0
  8. IXBF40N160

Транзисторы IGBT THT IXBF40N160

 
IXBF40N160
 
IXYS
Артикул: 221052
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 16А; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 663.00 грн
2+
1 572.96 грн
3+
1 572.16 грн
10+
1 545.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
ISOPLUS i4-pac™ x024c(1813560)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,6кВ(1440985)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
16А(1440971)
Ток коллектора в импульсе
40А(1645250)
Время включения
260нс(1751716)
Время выключения
340нс(1750740)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
130нC(1479431)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,455 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBF40N160
IXYS
Артикул: 221052
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,6кВ; 16А; 250Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 663.00 грн
2+
1 572.96 грн
3+
1 572.16 грн
10+
1 545.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
ISOPLUS i4-pac™ x024c
Напряжение коллектор-эмиттер
1,6кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
16А
Ток коллектора в импульсе
40А
Время включения
260нс
Время выключения
340нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
250Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
130нC
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,455 g