0 0 0
  8. IXBH10N300HV

Транзисторы IGBT THT IXBH10N300HV

 
IXBH10N300HV
 
IXYS
Артикул: 221055
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 10А; 180Вт; TO247HV
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 921.36 грн
30+
4 739.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247HV(1743248)
Напряжение коллектор-эмиттер
3кВ(1742767)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
10А(1440949)
Ток коллектора в импульсе
88А(1746890)
Время включения
805нс(1750705)
Время выключения
2,13мкс(1750706)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
180Вт(1701962)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
46нC(1479438)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,355 g
 
Транзисторы IGBT THT IXBH10N300HV
IXYS
Артикул: 221055
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3кВ; 10А; 180Вт; TO247HV
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 921.36 грн
30+
4 739.58 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247HV
Напряжение коллектор-эмиттер
3кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
88А
Время включения
805нс
Время выключения
2,13мкс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
180Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
46нC
Технология
BiMOSFET™
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,355 g