0 0 0
  8. IXFH320N10T2

Транзисторы с каналом N THT IXFH320N10T2

 
IXFH320N10T2
 
IXYS
Артикул: 079126
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 320А; 1000Вт; TO247-3; 98нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 047.34 грн
2+
863.84 грн
4+
817.19 грн
30+
785.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Время готовности
98нс(1758405)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
320А(1479602)
Сопротивление в открытом состоянии
3,5мОм(1441303)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1кВт(1701923)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
430нC(1758404)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,23 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXFH320N10T2
IXYS
Артикул: 079126
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 320А; 1000Вт; TO247-3; 98нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 047.34 грн
2+
863.84 грн
4+
817.19 грн
30+
785.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Время готовности
98нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
320А
Сопротивление в открытом состоянии
3,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1кВт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
430нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,23 g