0 0 0
  7. IXFN210N30P3

Транзисторные модули MOSFET IXFN210N30P3

 
IXFN210N30P3
 
IXYS
Артикул: 268650
Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; винтами; 1500Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 894.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
250нс(1440084)
Напряжение сток-исток
300В(1441556)
Ток стока
192А(1492578)
Сопротивление в открытом состоянии
14,5мОм(1479399)
Рассеиваемая мощность
1,5кВт(1701892)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
268нC(1705690)
Технология
HiPerFET™(1667445) Polar3™(1733725)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
550А(1758584)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,05 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN210N30P3
IXYS
Артикул: 268650
Модуль; одиночный транзистор; 300В; 192А; SOT227B; винтами; 1500Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 894.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
250нс
Напряжение сток-исток
300В
Ток стока
192А
Сопротивление в открытом состоянии
14,5мОм
Рассеиваемая мощность
1,5кВт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
268нC
Технология
HiPerFET™
Технология
Polar3™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
550А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,05 g