0 0 0
  7. IXFN26N120P

Транзисторные модули MOSFET IXFN26N120P

 
IXFN26N120P
 
IXYS
Артикул: 268658
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; винтами; 695Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 750.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 7 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
300нс(1440076)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
23А(1479277)
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом(1492338)
Рассеиваемая мощность
695Вт(1741767)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
255нC(1758353)
Технология
HiPerFET™(1667445) Polar™(1742961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,12 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN26N120P
IXYS
Артикул: 268658
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 23А; SOT227B; винтами; 695Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 750.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 7 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
300нс
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
23А
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом
Рассеиваемая мощность
695Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
255нC
Технология
HiPerFET™
Технология
Polar™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,12 g