0 0 0
  7. IXFN80N50Q3

Транзисторные модули MOSFET IXFN80N50Q3

 
IXFN80N50Q3
 
IXYS
Артикул: 268696
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 258.26 грн
100+
3 119.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
250нс(1440084)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
63А(1479411)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Рассеиваемая мощность
780Вт(1741885)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
200нC(1479291)
Технология
HiPerFET™(1667445) Q3-Class(1743022)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
240А(1741658)
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,16 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXFN80N50Q3
IXYS
Артикул: 268696
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 63А; SOT227B; винтами; 780Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 258.26 грн
100+
3 119.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
250нс
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
63А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Рассеиваемая мощность
780Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
200нC
Технология
HiPerFET™
Технология
Q3-Class
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
240А
Дополнительная информация: Масса брутто: 37,16 g