0 0 0
  8. IXTP170N075T2

Транзисторы с каналом N THT IXTP170N075T2

 
IXTP170N075T2
 
IXYS
Артикул: 079610
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 170А; 360Вт; TO220AB; 63нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
242.11 грн
3+
217.50 грн
6+
180.99 грн
16+
171.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 44 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Время готовности
63нс(1758396)
Напряжение сток-исток
75В(1441319)
Ток стока
170А(1441537)
Сопротивление в открытом состоянии
5,4мОм(1599146)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
360Вт(1702121)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
109нC(1757721)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,07 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXTP170N075T2
IXYS
Артикул: 079610
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 75В; 170А; 360Вт; TO220AB; 63нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
242.11 грн
3+
217.50 грн
6+
180.99 грн
16+
171.46 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 44 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Время готовности
63нс
Напряжение сток-исток
75В
Ток стока
170А
Сопротивление в открытом состоянии
5,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
360Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
109нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,07 g