0 0 0
  8. IXTY1N120P

Транзисторы с каналом N SMD IXTY1N120P

 
IXTY1N120P
 
IXYS
Артикул: 077229
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO252; 900нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
210.36 грн
5+
188.92 грн
7+
158.76 грн
18+
150.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 140 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Время готовности
900нс(1708304)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
1А(1441586)
Сопротивление в открытом состоянии
20Ом(1459375)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
63Вт(1520822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet(1758416)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,31 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTY1N120P
IXYS
Артикул: 077229
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO252; 900нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
210.36 грн
5+
188.92 грн
7+
158.76 грн
18+
150.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 140 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Время готовности
900нс
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
1А
Сопротивление в открытом состоянии
20Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
63Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,31 g