0 0 0
  7. IXXN200N65A4

Модули IGBT IXXN200N65A4

 
IXXN200N65A4
 
IXYS
Артикул: 268853
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 539.76 грн
2+
1 456.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
650В(1440613)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
200А(1441734)
Ток коллектора в импульсе
1,2кА(1750610)
Рассеиваемая мощность
1,25кВт(1702376)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
XPT™(1746878) GenX4™(1746881)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT IXXN200N65A4
IXYS
Артикул: 268853
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 200А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 539.76 грн
2+
1 456.12 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
650В
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
1,2кА
Рассеиваемая мощность
1,25кВт
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
XPT™
Технология
GenX4™
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g