0 0 0
  8. IXYA20N65C3D1

Транзисторы IGBT SMD IXYA20N65C3D1

 
IXYA20N65C3D1
 
IXYS
Артикул: 220586
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
290.53 грн
3+
260.37 грн
5+
207.98 грн
14+
196.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 180 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO263(1443525)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
20А(1440977)
Ток коллектора в импульсе
105А(1694421)
Время включения
51нс(1645256)
Время выключения
132нс(1746879)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
200Вт(1701925)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
30нC(1479265)
Технология
Planar(1712978) XPT™(1746878) GenX3™(1746877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,496 g
 
Транзисторы IGBT SMD IXYA20N65C3D1
IXYS
Артикул: 220586
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 20А; 200Вт; TO263
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
290.53 грн
3+
260.37 грн
5+
207.98 грн
14+
196.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 180 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
20А
Ток коллектора в импульсе
105А
Время включения
51нс
Время выключения
132нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
200Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
30нC
Технология
Planar
Технология
XPT™
Технология
GenX3™
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,496 g