0 0 0
  8. IXYX30N170CV1

Транзисторы IGBT THT IXYX30N170CV1

 
IXYX30N170CV1
 
IXYS
Артикул: 221331
Транзистор: IGBT; XPT™; 1,7кВ; 30А; 937Вт; PLUS247™
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 498.34 грн
2+
1 417.09 грн
3+
1 416.29 грн
30+
1 377.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PLUS247™(1692687)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ(1440940)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
30А(1440984)
Ток коллектора в импульсе
250А(1621601)
Время включения
49нс(1694413)
Время выключения
327нс(1748241)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
937Вт(1748240)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
150нC(1479389)
Технология
XPT™(1746878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,78 g
 
Транзисторы IGBT THT IXYX30N170CV1
IXYS
Артикул: 221331
Транзистор: IGBT; XPT™; 1,7кВ; 30А; 937Вт; PLUS247™
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 498.34 грн
2+
1 417.09 грн
3+
1 416.29 грн
30+
1 377.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
PLUS247™
Напряжение коллектор-эмиттер
1,7кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
250А
Время включения
49нс
Время выключения
327нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
937Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
150нC
Технология
XPT™
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,78 g