Модули IGBT MIEB101W1200EH

 
MIEB101W1200EH
 
Артикул: 372722
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 128А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
13 171.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
IXYS(39)
Корпус
E3-Pack(1791009)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
128А(1790999)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Применение
двигатели(1492838) фотоэлектрика(1827405)
Рассеиваемая мощность
630Вт(1791000)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Sonic FRD™(1738262) SPT+(1791008)
Топология
3-фазный мост IGBT(1645602)
Дополнительная информация: Масса брутто: 10 g
 
Модули IGBT MIEB101W1200EH
IXYS
Артикул: 372722
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 128А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
13 171.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
E3-Pack
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
128А
Ток коллектора в импульсе
200А
Применение
двигатели
Применение
фотоэлектрика
Рассеиваемая мощность
630Вт
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Sonic FRD™
Технология
SPT+
Топология
3-фазный мост IGBT
Дополнительная информация: Масса брутто: 10 g