0 0 0
  8. MMIX1F160N30T

Транзисторы с каналом N SMD MMIX1F160N30T

 
MMIX1F160N30T
 
IXYS
Артикул: 374128
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 850.26 грн
20+
2 810.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Время готовности
200нс(1440083)
Напряжение сток-исток
300В(1441556)
Ток стока
102А(1625139)
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
570Вт(1741745)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
367нC(1792107)
Технология
HiPerFET™(1667445) GigaMOS™(1717731) Trench™(1743125)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
440А(1792106)
Дополнительная информация: Масса брутто: 8,15 g
 
Транзисторы с каналом N SMD MMIX1F160N30T
IXYS
Артикул: 374128
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 300В; 102А; Idm: 440А; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 850.26 грн
20+
2 810.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Время готовности
200нс
Напряжение сток-исток
300В
Ток стока
102А
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
570Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
367нC
Технология
HiPerFET™
Технология
GigaMOS™
Технология
Trench™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
440А
Дополнительная информация: Масса брутто: 8,15 g