0 0 0
  8. MMIX1F230N20T

Транзисторы с каналом N SMD MMIX1F230N20T

 
MMIX1F230N20T
 
IXYS
Артикул: 374131
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 200В; 156А; Idm: 630А; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 849.97 грн
20+
2 810.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Время готовности
200нс(1440083)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
156А(1492246)
Сопротивление в открытом состоянии
8,3мОм(1599593)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
600Вт(1700331)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
358нC(1743053)
Технология
HiPerFET™(1667445) GigaMOS™(1717731) Trench™(1743125)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
630А(1758579)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD MMIX1F230N20T
IXYS
Артикул: 374131
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 200В; 156А; Idm: 630А; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 849.97 грн
20+
2 810.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Время готовности
200нс
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
156А
Сопротивление в открытом состоянии
8,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
600Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
358нC
Технология
HiPerFET™
Технология
GigaMOS™
Технология
Trench™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
630А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g