0 0 0
  8. MMIX1Y100N120C3H1

Транзисторы IGBT SMD MMIX1Y100N120C3H1

 
MMIX1Y100N120C3H1
 
IXYS
Артикул: 220601
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 40А; 400Вт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 945.95 грн
20+
2 901.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
40А(1440987)
Ток коллектора в импульсе
440А(1750630)
Время включения
122нс(1750825)
Время выключения
265нс(1751685)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
400Вт(1700319)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,27мкC(1950540)
Технология
XPT™(1746878) BiMOSFET™(1742772) GenX3™(1746877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g
 
Транзисторы IGBT SMD MMIX1Y100N120C3H1
IXYS
Артикул: 220601
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 40А; 400Вт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 945.95 грн
20+
2 901.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
40А
Ток коллектора в импульсе
440А
Время включения
122нс
Время выключения
265нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
400Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,27мкC
Технология
XPT™
Технология
BiMOSFET™
Технология
GenX3™
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g