Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
250нс(1440084)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Рассеиваемая мощность
590Вт(1790521)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
коннекторы FASTON(1612508) винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
405нC(1758385)
Технология
HiPerFET™(1667445)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Ток стока в импульсном режиме
240А(1741658)