0 0 0
  8. SMDJ33A

Диоды transil SMD однонаправленные SMDJ33A

 
SMDJ33A
 
LITTELFUSE
Артикул: 214901
Диод: TVS; 3кВт; 38,65В; 56,3А; однонаправленный; ±5%; DO214AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.05 грн
5+
44.98 грн
25+
40.65 грн
26+
38.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3730 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
LITTELFUSE(454)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DO214AB(1440540)
Погрешность
±5%(1819321)
Обратное напряжение макс.
33В(1440505)
Конструкция диода
однонаправленный(1440398)
Импульсный ток
56,3А(1501646)
Напряжение пробоя
38,65В(1699207)
Ток утечки
2мкА(1501427)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated(1617588)
Peak pulse power dissipation
3кВт(1911780)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,326 g
 
Диоды transil SMD однонаправленные SMDJ33A
LITTELFUSE
Артикул: 214901
Диод: TVS; 3кВт; 38,65В; 56,3А; однонаправленный; ±5%; DO214AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
61.05 грн
5+
44.98 грн
25+
40.65 грн
26+
38.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3730 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
LITTELFUSE
Монтаж
SMD
Корпус
DO214AB
Погрешность
±5%
Обратное напряжение макс.
33В
Конструкция диода
однонаправленный
Импульсный ток
56,3А
Напряжение пробоя
38,65В
Ток утечки
2мкА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Peak pulse power dissipation
3кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,326 g