0 0 0
  8. LGE3M20120Q

Транзисторы с каналом N THT LGE3M20120Q

 
LGE3M20120Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975339
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 474.59 грн
2+
1 394.99 грн
3+
1 394.22 грн
450+
1 388.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
71А(1479421)
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм(1479302)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
428Вт(1741827)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
254нC(1705684)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M20120Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975339
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 71А; 428Вт; TO247-4
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 474.59 грн
2+
1 394.99 грн
3+
1 394.22 грн
450+
1 388.03 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
71А
Сопротивление в открытом состоянии
39мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
428Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
254нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g