0 0 0
  8. APT10M19BVRG

Транзисторы с каналом N THT APT10M19BVRG

 
APT10M19BVRG
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429495
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 75А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 323.68 грн
2+
916.88 грн
4+
866.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
75А(1441317)
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм(1441301)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
370Вт(1741804)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
300нC(1479621)
Технология
POWER MOS 5®(1823299)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
300А(1714520)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы с каналом N THT APT10M19BVRG
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 429495
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 75А; Idm: 300А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 323.68 грн
2+
916.88 грн
4+
866.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
75А
Сопротивление в открытом состоянии
19мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
370Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
300нC
Технология
POWER MOS 5®
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
300А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g