0 0 0
  8. APT15GP90BDQ1G

Транзисторы IGBT THT APT15GP90BDQ1G

 
APT15GP90BDQ1G
 
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418033
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 21А; 250Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
662.32 грн
3+
476.49 грн
6+
451.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 82 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
MICROSEMI(934)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
900В(1440903)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
21А(1586622)
Ток коллектора в импульсе
60А(1645252)
Время включения
23нс(1550973)
Время выключения
170нс(1492980)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
60нC(1479310)
Технология
POWER MOS 7®(1694410) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,073 g
 
Транзисторы IGBT THT APT15GP90BDQ1G
MICROCHIP (MICROSEMI)
Артикул: 418033
Транзистор: IGBT; PT; 900В; 21А; 250Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
662.32 грн
3+
476.49 грн
6+
451.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 82 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
MICROSEMI
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
900В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
21А
Ток коллектора в импульсе
60А
Время включения
23нс
Время выключения
170нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
250Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
60нC
Технология
POWER MOS 7®
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,073 g